EM12-PV是采用量拓的测量技术，针对中端精度需求的光伏太阳能电池研发和质量控制领域推出的精致型多入射角激光椭偏仪。

EM12-PV用于测量绒面单晶硅或多晶硅太阳电池表面减反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n。也可测量光滑平面材料上的单层或多层纳米薄膜的膜层厚度，以及在632.8nm下折射率n和消光系数k。

EM12-PV融合多项量拓科技技术，采用一体化样品台技术，兼容测量单晶和多晶太阳电池样品。一键式多线程操作软件，使得仪器操作简单安全。

特点：

粗糙绒面纳米薄膜的测量

光能量增强技术、低噪声的探测器件以及高信噪比的微弱信号处理方法，实现了对粗糙表面散射为主和反射率为特征的绒面太阳电池表面纳米镀层的检测。

次纳米量的高灵敏度和准确度

采样方法、稳定的核心器件、高质量的制造工艺实现并保证了高准确度和稳定性，测量绒面减反膜的厚度精度优于0.2nm。

1.6秒的快速测量

水准的仪器设计，在保证精度和准确度的同时，可在1.6秒内快速完成一次测量，可满足快速多点检测和批量检测需求。

简单方便安全的仪器操作

一键式操作设计，用户只需一个按钮即可完成复杂的材料测量和分析过程，数据一键导出，丰富的模型库和材料库也同时方便了用户的高操作需求。

应用：

EM12-PV适合于光伏领域中端精度要求的工艺研发和现场的质量控制。

EM12-PV可用于测量绒面单晶硅或多晶硅太阳电池表面上单层减反膜的厚度以及在632.8nm下的折射率n，典型纳米膜层包括SiNx，ITO，TiO2，SiO2，A12O3，HfO2等，应用领域包括晶体硅太阳电池、薄膜太阳电池等。

EM12-PV也可用于测量光滑平面基底上的单层或双层纳米薄膜，包括膜层的厚度，以及在632.8nm下的折射率n和消光系数k。也可用于测量块状材料（包括，液体、金属、半导体、介质等）在632.8nm下的折射率n和消光系数k。应用领域包括半导体、微电子、平板显示等。

技术指标：

性能保证：

稳定的He-Ne激光光源采样方法以及低噪声探测技术，保证了稳定性和准确度

一体化样品台技术，兼容单晶和多晶硅太阳电池样品,轻松变换可实现准确测量

高精度的光学自准直显微和望远系统，保证了快速、高精度的样品方位对准

新型样品调节技术，有效提高样品定位精度，并节省操作时间

新型光电增强技术和噪声处理方法，显著降低现场噪声的影响

一体化集成式仪器整体设计，保证了系统稳定性，并节省空间

分立式的多入射角选择，可应用于复杂样品的折射率和相对厚度的测量

一键式软件设计以及丰富的物理模型库和材料数据库，方便用户使用

可选配件：

NFS-SiO2/Si二氧化硅纳米薄膜标片

NFS-Si3N4/Si氮化硅纳米薄膜标片

VP01真空吸附泵

VP02 真空吸附泵